抗氧化性较好：碳化硅在常温下，抗氧化性很好，在合成SiC时残留的Si、C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下使用，而含有部分杂质的碳化硅，在1220度会发生氧化。抗热震性较好：由于碳化硅不熔化和分解出蒸气的温度很高，并具有很高的导热性和低的热膨胀性，从而具有好的抗热震性。
碳化硅陶瓷的耐化学腐蚀性好、强度高、硬度高，耐磨性能好、摩擦系数小，且耐高温，因而是制造密封环的理想材料。与石墨材料组合配对时，其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小，因而可用于高PV值，特别是输送强酸、强碱的工况中使用。生产的SIC-1型碳化硅常压烧结制品，具有密度高、硬度高、生产批量大、可生产复杂形状制品的特点，适用于高性能的密封件中使用，特别是高 PV 值及耐强酸、强碱的工况。
碳化硅脱氧剂是用于电炉炼钢还原期的脱氧材料，它具有氧反应比硅铁粉、碳粉、电石块能缩短还原时间，降低电力消耗，提高劳动生产率。 在高温下的分解和氧化是放热反应过程，炉内正压强烈，能保证脱氧、碚硫提供必要的条件，降低硫含量。由于还原期缩短减少了钢液在后期的吸气机会，减少了H的增长以及回P，从而保证了钢水的质量。 减少生石灰、萤石粉加入量，降低成本，减少有害气体的浓度和烟尘污染环境，有利于操作条件改善。
使用商业碳化硅炉有时可以生长出大的半导体碳化硅晶体。然后实验室规模成功地合成了这种晶体材料。浙江加贝碳化硅生长在石墨坩埚内部的空心圆柱体中的碳化硅晶片是在碳管炉内加热到2500℃以上制成的，温度的安排是要使得碳化硅圆柱体的中间温度较外部为低。向里面扩散的碳化硅蒸汽因而变得过饱和，并且在圆柱体的中间冷凝下来形成单晶体。浙江加贝碳化硅可以在工作气筑中引入某种杂质以改变生长的晶体的成分。
