碳化硅脱氧剂是用于电炉炼钢还原期的脱氧材料，它具有氧反应比硅铁粉、碳粉、电石块能缩短还原时间，降低电力消耗，提高劳动生产率。 在高温下的分解和氧化是放热反应过程，炉内正压强烈，能保证脱氧、碚硫提供必要的条件，降低硫含量。由于还原期缩短减少了钢液在后期的吸气机会，减少了H的增长以及回P，从而保证了钢水的质量。 减少生石灰、萤石粉加入量，降低成本，减少有害气体的浓度和烟尘污染环境，有利于操作条件改善。
抗氧化性较好：碳化硅在常温下，抗氧化性很好，在合成SiC时残留的Si、C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下使用，而含有部分杂质的碳化硅，在1220度会发生氧化。抗热震性较好：由于碳化硅不熔化和分解出蒸气的温度很高，并具有很高的导热性和低的热膨胀性，从而具有好的抗热震性。
碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，南通加贝碳化硅在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿)。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用上，出口加贝碳化硅具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，而另一种碳化硅，μ-碳化硅较稳定，且碰撞时有较为悦耳的声音，但直至今日，这两种型态尚未有商业上之应用。
碳化硅其实是通过人工合成的碳化物质，一般在2000摄氏度的高温下，碳和二氧化硅在通电后形成的。因其本省具有高强度的耐磨性、物质坚硬、耐腐蚀性能以及高温强度较高等优势，被应用在各种耐磨、耐高温等工作的零件中。碳化硅在常温下属于一种半导体，具有杂质导电性能。碳化硅纯度越高随着温度也逐渐的升高电阻率自然下降，根据碳化硅含杂质的不同，导电性也就不同。并且碳化硅亲水性好、远红外辐射性等。
