碳化硅在铸造生产上的使用已经比较多了，根据大家使用的情况来看，效果是比较好的，特别是熔炼中，增加石墨核心，提高球铁的石墨球数，改善灰铁的石墨形态都非常有益。碳化硅的使用在国外比较广泛，不管是电炉还是冲天炉，都加入此种物质。由于碳化硅的熔点很高，在2700度左右，那么在我们普通铸造生产的炉子里面，不可能有这么高的温度，所以说，在我们铸造熔炼温度下，碳化硅的溶解时熔融状态逐渐分解的，扩散的，比较慢，所以在炉内加入碳化硅的时间应该比其他合金早一些，一般在炉料熔炼到炉内三分之一到一半时加入，让其有充分的温度，时间条件去分解。
碳化硅的一些抗氧化性能：当碳化硅材料在空气中加热到1300℃是，出口碳化硅粒度砂就会表面开始生成保护层，随着保护层的加厚，会阻止内部碳化硅的继续氧化，这使碳化硅有较好的抗氧化性。常熟碳化硅粒度砂当温度达到1900k以上时，二氧化硅保护膜开始被破坏，碳化硅氧化作用加剧，所以1900k就是碳化硅在含氧化剂气氛下的温度。
分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。工业用碳化硅于1891年研制成功，是较早的人造磨料。在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在，但迄今尚未找到可供开采的矿源。纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。
碳化硅在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。SiC同硅酸在高温下也不发生反应，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度开始反应，在1000度附近反应显著，与氧化铜的反应在800度已强烈进行。同氧化铁在1000-1200度，进行反应，到1300度已明显崩裂反应。同氧化锰反应从1360度起到崩裂反应。SiC在氯气中，从600度开始与之反应，到1200度可使其分解为SiCl4和CCl4。熔融碱在炽热下可使SiC分解
采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的碳化硅陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反应烧结碳化硅相对较低。另一方面，碳化硅陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结碳化硅陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有碳化硅陶瓷强度均有所提高；当温度超过1400℃时，反应烧结碳化硅陶瓷抗弯强度急剧下降。
