使用商业碳化硅炉有时可以生长出大的半导体碳化硅晶体。然后实验室规模成功地合成了这种晶体材料。生长在石墨坩埚内部的空心圆柱体中的碳化硅晶片是在碳管炉内加热到2500℃以上制成的，温度的安排是要使得碳化硅圆柱体的中间温度较外部为低。向里面扩散的碳化硅蒸汽因而变得过饱和，并且在圆柱体的中间冷凝下来形成单晶体。可以在工作气筑中引入某种杂质以改变生长的晶体的成分。
碳化硅的亲水性通常以水在碳化硅颗粒间空隙构成的毛细管中上升的高度来比表示，上升愈来愈高，亲水性越好。在一定程度上反应了磨料的颗粒形状，化学成分、矿物成分、表面清洁度和磨粒表面空隙暴露程度，是决定碳化硅与结合剂结合牢固程度的重要因素，从而直接影响碳化硅制品的强度，当然对于涂附磨具所用的其他磨料而言。这一参数显得尤为重要。
碳化硅的一些抗氧化性能：当碳化硅材料在空气中加热到1300℃是，就会表面开始生成保护层，随着保护层的加厚，会阻止内部碳化硅的继续氧化，这使碳化硅有较好的抗氧化性。当温度达到1900k以上时，二氧化硅保护膜开始被破坏，碳化硅氧化作用加剧，所以1900k就是碳化硅在含氧化剂气氛下的温度。
碳化硅其实是通过人工合成的碳化物质，一般在2000摄氏度的高温下，碳和二氧化硅在通电后形成的。因其本省具有高强度的耐磨性、物质坚硬、耐腐蚀性能以及高温强度较高等优势，被应用在各种耐磨、耐高温等工作的零件中。碳化硅在常温下属于一种半导体，具有杂质导电性能。碳化硅纯度越高随着温度也逐渐的升高电阻率自然下降，根据碳化硅含杂质的不同，导电性也就不同。并且碳化硅亲水性好、远红外辐射性等。
绿碳化硅高纯度、大结晶的碳化硅原材料，保证了碳化硅切割微粉的优良切割性能和稳定的物理状态；贵州碳化硅二级品粒度形状为等积而具刃锋，保证了碳化硅微粉作为切割的均衡自锐性，从而保证被切割材料TTV的小化；出口碳化硅二级品粒度分布集中并且均匀；有高的热震稳定性和荷重软化温度，这确保了在荷重切割很小的线膨胀系数，从而保证切割的稳定；并且能够和切割机有很好的适配性；
