碳化硅其实是通过人工合成的碳化物质，一般在2000摄氏度的高温下，碳和二氧化硅在通电后形成的。因其本省具有高强度的耐磨性、物质坚硬、耐腐蚀性能以及高温强度较高等优势，被应用在各种耐磨、耐高温等工作的零件中。碳化硅在常温下属于一种半导体，具有杂质导电性能。碳化硅纯度越高随着温度也逐渐的升高电阻率自然下降，根据碳化硅含杂质的不同，导电性也就不同。并且碳化硅亲水性好、远红外辐射性等。
热塑压制：碳化硅材料与剧烈加热的物料的可塑性有关，料此法在于将物加热至热塑状态后压制。当热塑压制时，致密化系通过当泥料受热时发生剧烈塑性变形时向泥料加压的方法来达到的。通常系向预先加热粗坯，然后将其放入压模中再施加压力。缓慢扩散：碳化硅制品的另一种热压过程是利用缓慢的扩散烧结原理。此法与热塑压制法相比，通常需要在较高的温度下进行，并且占用较长的时间。向在模型内直接加热若干时间的粉料施加压力。
碳化硅脱氧剂是用于电炉炼钢还原期的脱氧材料，它具有氧反应比硅铁粉、碳粉、电石块能缩短还原时间，降低电力消耗，提高劳动生产率。 在高温下的分解和氧化是放热反应过程，炉内正压强烈，能保证脱氧、碚硫提供必要的条件，降低硫含量。由于还原期缩短减少了钢液在后期的吸气机会，减少了H的增长以及回P，从而保证了钢水的质量。 减少生石灰、萤石粉加入量，降低成本，减少有害气体的浓度和烟尘污染环境，有利于操作条件改善。
使用商业碳化硅炉有时可以生长出大的半导体碳化硅晶体。然后实验室规模成功地合成了这种晶体材料。生长在石墨坩埚内部的空心圆柱体中的碳化硅晶片是在碳管炉内加热到2500℃以上制成的，温度的安排是要使得碳化硅圆柱体的中间温度较外部为低。向里面扩散的碳化硅蒸汽因而变得过饱和，并且在圆柱体的中间冷凝下来形成单晶体。可以在工作气筑中引入某种杂质以改变生长的晶体的成分。
生产出口碳化硅具有很高的脱氧能力。同时发现，这种铸铁结晶时的过冷度小。例如碳化硅与75硅铁在一起，在炉料中计入2.5%的碳化硅，用感应电炉熔炼的含碳3.5%的铁水实际上是在无过冷度的情况下结晶，也就是说在1150℃结晶，出口碳化硅价格在炉料中添加碳化硅熔炼出铸铁的具有细小的晶粒（1mm²上有200个共晶团）。当进一步用75硅铁进行孕育处理后，共晶团的数量几乎增加，但是铁水在1480±20℃精致23分钟后，共晶团数量加到孕育前的水平。
