碳化硅在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。SiC同硅酸在高温下也不发生反应，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度开始反应，在1000度附近反应显著，与氧化铜的反应在800度已强烈进行。同氧化铁在1000-1200度，进行反应，到1300度已明显崩裂反应。同氧化锰反应从1360度起到崩裂反应。SiC在氯气中，从600度开始与之反应，到1200度可使其分解为SiCl4和CCl4。熔融碱在炽热下可使SiC分解
使用商业碳化硅炉有时可以生长出大的半导体碳化硅晶体。然后实验室规模成功地合成了这种晶体材料。武汉涂附用碳化硅生长在石墨坩埚内部的空心圆柱体中的碳化硅晶片是在碳管炉内加热到2500℃以上制成的，温度的安排是要使得碳化硅圆柱体的中间温度较外部为低。向里面扩散的碳化硅蒸汽因而变得过饱和，并且在圆柱体的中间冷凝下来形成单晶体。武汉涂附用碳化硅可以在工作气筑中引入某种杂质以改变生长的晶体的成分。
碳化硅脱氧剂是一种新颖的高性能复合脱氧剂，可代替价格较贵的传统脱氧剂硅铁粉和合金粉，适用于普钢、合金钢和特种钢冶炼时脱氧，金石碳化硅脱氧剂具有脱氧迅速、成渣早、还原气氛浓、泡沫丰富等优点，还能有效地提高元素的回收率，也有增碳作用，代替部分增碳剂，大大地降低了炼钢成本。用碳化硅作为炼钢脱氧剂可使钢水质量稳定，且具有细化晶粒，清除钢水中有害杂质的作用，使用后钢水浇铸温度高，铸坯质量好，单位成本低。
碳化硅其实是通过人工合成的碳化物质，一般在2000摄氏度的高温下，碳和二氧化硅在通电后形成的。因其本省具有高强度的耐磨性、物质坚硬、耐腐蚀性能以及高温强度较高等优势，被应用在各种耐磨、耐高温等工作的零件中。碳化硅在常温下属于一种半导体，具有杂质导电性能。碳化硅纯度越高随着温度也逐渐的升高电阻率自然下降，根据碳化硅含杂质的不同，导电性也就不同。并且碳化硅亲水性好、远红外辐射性等。
碳化硅的一些抗氧化性能：当碳化硅材料在空气中加热到1300℃是，就会表面开始生成保护层，随着保护层的加厚，会阻止内部碳化硅的继续氧化，这使碳化硅有较好的抗氧化性。当温度达到1900k以上时，二氧化硅保护膜开始被破坏，碳化硅氧化作用加剧，所以1900k就是碳化硅在含氧化剂气氛下的温度。
