碳化硅是我们合金市场上比较常见的一种合金材料，可以应用在我们的各个行业，现在国内进入一个雨季，在雨季我们进行碳化硅存贮的时候有一些需要注意的地方：（1）做到有序存放，同一批号建议能够成排摆放，避免在取料过程中出错。（2）如果在运输途中有破损包装，建议单独存放，避免粉尘污染。（3）碳化硅具有较强的吸湿性，尽量避免拆去防潮膜存放；这样可以避免受潮团结，缩短烘干时间。（4）尽可能采用先进先出的原则用料，避免原料因存放时间过长而结团。（5）建议仓库建议封闭，单独存放。
碳化硅中硅的含量决定碳化硅的硬度。 碳化硅的粒径大小对线切割影响很大， 但重要的是碳化硅的颗粒形状。因为线切割时碳化硅为游离状态切割 颗粒的形状变化对切割效率及切割质量要重要影响。检测办法：硅的含量需要原子吸收检测(检测效率高，数值较准确）。化硅粒径需要电阻法颗粒分析仪（效率高）。粒型检测需要瑞思RA200颗粒分析仪.（可以分析颗粒形状系数 圆度 较准确）
扬中碳化硅三级品抗氧化性较好：碳化硅在常温下，抗氧化性很好，在合成SiC时残留的Si、C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下使用，而含有部分杂质的碳化硅，在1220度会发生氧化。出口碳化硅三级品抗热震性较好：由于碳化硅不熔化和分解出蒸气的温度很高，并具有很高的导热性和低的热膨胀性，从而具有好的抗热震性。
使用商业碳化硅炉有时可以生长出大的半导体碳化硅晶体。然后实验室规模成功地合成了这种晶体材料。生长在石墨坩埚内部的空心圆柱体中的碳化硅晶片是在碳管炉内加热到2500℃以上制成的，温度的安排是要使得碳化硅圆柱体的中间温度较外部为低。向里面扩散的碳化硅蒸汽因而变得过饱和，并且在圆柱体的中间冷凝下来形成单晶体。可以在工作气筑中引入某种杂质以改变生长的晶体的成分。
